IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双*型晶体管，是由BJT(双*型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
IGBT是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用*广。
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FF200R12KS4,可控硅模块,INFINEON英飞凌
IGBT有的作用IGBT是一种功率晶体管，运用此种晶体设计的UPS，早已成为电源的核心器件，可有效提升产品效能，具有易于驱动，控制简单，开关频率高，电源品质好、效率高、噪音低、体积小与产品寿命长等多种优点。同时又具备导通电压低，通态电流大，损耗小等技术优势。IGBT主要用于轨道交通、航空航天、新能源、智能电网、智能家电高压变频器等领域。用于变频器逆变和其他逆变电路时将直流电压逆变成频率可调的交流电
